"HBM3E 검증 실패 결과 지난달 나와
경쟁사에 뒤처질 수 있다는 우려 커져"
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 지난 3월 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처
삼성전자의 최신형 고대역폭메모리(HBM)가 엔비디아의 품질 검증을 통과하지 못했다고 23일(현지시간) 로이터통신이 보도했다. 발열 및 전력 소비가 문제시됐다고 로이터는 전했다.
로이터는 이날 복수의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3(4세대 HBM) 및 HBM3E(5세대)에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해 왔다"며 "그러나 8단 및 12단 HBM3E의 검증에 실패했다는 결과가 지난달 나왔다"고 전했다. 이 매체는 이어 "소식통들은 발열 및 전력 소비 문제가 문제가 됐다고 말했다"고 밝혔다.
HBM은 D램을 수직으로 연결해 현재 D램보다 데이터를 훨씬 빨리 처리할 수 있게 만든 반도체다. 대량의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품으로 꼽힌다.
삼성전자는 오랜 기간 메모리 시장 1위를 지켜왔으나, 메모리 업계에서 가장 뜨거운 격전지로 부상한 HBM 분야에선 상대적으로 밀린다는 평가를 받아 왔다. 특히 최신 HBM 제품을 최대 고객사인 엔비디아에 공급하지 못하면서 경쟁력에 대한 우려가 커졌다. SK하이닉스가 2022년부터 HBM3를 엔비디아에 공급하고, 지난 3월 말부터는 HBM3E도 제공하기 시작한 것과 비교된다.
삼성전자는 로이터통신에 보낸 성명에서 "HBM은 '고객 요구에 따른 최적화 작업'이 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며, 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다고 한다. 다만 엔비디아의 품질 검증에 실패했다는 전언이 사실인지에 대해서는 구체적으로 언급하지 않았다.
로이터는 "(엔비디아가 지적한) 문제가 쉽게 해결될 수 있는지는 명확하지 않다"고 했다. 그러면서 "엔비디아의 요구사항을 충족시키지 못하면서 투자자들 사이에서는 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다"고 전했다.
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