한국나노기술원과 공동 연구
초고속 통신소자 개발해 중기에 기술 이양
경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진한다.
도는 2022년까지 총 30억원의 예산을 투입, 한국나노기술원과 함께 ‘시스템 반도체 국산화 연구지원 사업’을 추진할 계획이라고 24일 밝혔다.
이번 사업을 통해 도는 초고속 통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.
InGaAs 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다. 5G, 사물인터넷(IoT), 자율차 등 ‘4차 산업혁명’ 실현을 위한 핵심부품을 제작하는 데 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상된다. 그러나 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존하고 있다.
도는 향후 3년간 개발비 지원을 통해 한국나노기술원이 InGaAs 에피웨이퍼 및 HEMT 기술을 개발하도록 한 뒤 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 기술을 제공, 시스템 반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다.
최병길 도 과학기술과장은 “해외 수입에 의존하고 있는 InGaAs 에피웨이퍼와 HEMT를 국산화하면 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”라며 “반도체 기술 독립을 위해 해외 의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.
이범구 기자 ebk@hankookilbo.com
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