GAA 기반 첨단 공정에 Arm 차세대 SoC 설계 자산 최적화
6일 오전 서울 서초구 삼성전자 사옥. 뉴시스
삼성전자가 반도체 설계 자산 회사 Arm과 협력 사업을 늘린다. 삼성전자는 2나노 반도체 개발 과정에서 Arm의 시스템온칩(SoC) 설계 자산을 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 공정에 적용하는 기술을 개발한다. 두 회사는 다양한 생성형 AI 제품 개발에서 협업을 늘릴 계획이다.
삼성전자는 21일 이런 내용의 'GAA 공정 기술 경쟁력 고도화 계획'을 발표했다. Arm과 협력을 통해 팹리스(반도체 설계) 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고 제품 개발에 들이는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. 이번 계획은 오랜 기간 Arm의 중앙처리장치(CPU) 지식재산권(IP)을 삼성 파운드리의 다양한 공정에 최적화해 양산한 협력의 연장선이다.
계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 디자인 플랫폼개발실 부사장은 "이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 코어텍스(Cortex)-CPU를 선보이겠다"고 말했다.
GAA는 미세 공정 때문에 트랜지스터 성능이 떨어지는 것을 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술이다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입했는데 이때도 Arm과 힘을 모았다.
두 회사는 팹리스 기업에 제때 제품을 공급하면서도 우수한 소비 전력·성능·면적(PPA)을 구현하는 데 초점을 맞출 계획이다. 다양한 영역으로 협력 범위도 늘린다. 차세대 데이터센터(IDC)와 2나노 GAA, AI 칩렛 솔루션을 차례로 선보일 계획이다.
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