업계 최선단 12나노급 D램 생산
IDC·AI·차세대 컴퓨팅에 접목
삼성전자가 본격적인 생산에 돌입한 12나노(㎚)급 DDR D램. 삼성전자 제공
삼성전자가 업계에서 가장 촘촘한 회로설계 기술을 적용한 12나노(㎚)급 DDR D램 생산을 시작했다고 18일 밝혔다. D램은 삼성전자 등 한국 반도체 기업들이 주도하고 있는 메모리 반도체의 하나다. DDR5 D램은 '차세대 D램'을 의미한다.
삼성전자는 1992년 글로벌 D램 시장 점유율 1위 자리를 차지한 뒤 30년 동안 한 번도 뺏기지 않고 있다. 회사의 시장 점유율은 40% 수준이다. 이번에 생산을 시작한 12나노급 D램은 이전 세대인 14나노 제품과 비교했을 때 데이터 처리 속도 등 생산성이 약 20% 향상됐다. 칩을 사용하는 데 필요한 전력은 약 23% 줄었다. 데이터센터(IDC)나 기업 정보처리 분야에 적용이 기대된다. 탄소 배출을 줄이고 에너지를 아끼는 효과도 볼 수 있다는 게 회사 측 설명.
회사가 회로 설계를 촘촘하게 할 수 있었던 배경에는 신소재 적용이 큰 몫을 했다. 데이터를 좀 더 확실하게 구별할 수 있는 소재를 제품에 넣어 오류 발생도 줄였다. 1초에 데이터 30GB짜리 고화질 영화 두 편을 처리할 수 있는 속도를 자랑한다. IDC와 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 곳에 공급할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 "업계에서 가장 촘촘하게 설계된 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력으로 제품 성능과 전력 효율을 높였다"면서 "D램 시장을 계속해서 이끌어 가겠다"고 강조했다.
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