삼성전자, 12㎚급 공정으로 DDR5 D램 개발
최선단 기록 갈아 치우며 생산력 20% 향상
소비전력도 23% 개선…2023년 본격 양산 계획
삼성전자가 업계 최초로 개발에 성공한 12㎚급 DDR5 D램 제품. 삼성전자 제공
삼성전자는 업계 최초로 12나노미터(㎚)급 공정이 적용된 DDR5 D램을 개발, AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. AMD는 미국 반도체 설계회사이며 DDR5 D램은 '차세대 D램'을 뜻한다.
D램은 메모리반도체의 한 종류로, 삼성전자가 글로벌 시장 1위를 달리고 있다. 삼성전자는 1992년 글로벌 D램 시장 점유율 1위를 달성한 뒤 단 한 번도 최정상 자리를 내주지 않고 있다. 삼성전자의 올해 시장 점유율은 약 40% 수준이다.
이번에 삼성전자가 내놓은 12㎚ D램은 해당 제품군 최선단(가장 좁은 선폭) 기록을 갈아 치웠다. 이전까지 삼성전자를 비롯한 주요 반도체 기업들의 공정은 14㎚급이 최대치로 알려졌다.
삼성전자 12㎚ D램은 반도체 위에 입히는 회선들의 폭을 줄임으로써 앞선 공정 대비 제품 생산성을 20% 향상했다. 예를 들어 기존 공정에서 100개 반도체를 찍어냈던 시간 동안 이제는 120개 제품을 생산할 수 있게 됐다. D램 사용 시 필요한 소비 전력도 이전 제품과 비교해 약 23% 개선됐다.
삼성전자 12㎚ D램이 생산성과 효율성을 강화할 수 있었던 배경에는 신소재가 큰 역할을 했다. 해당 공정에는 유전율이 높은 신소재가 쓰였고, 새로운 제품 설계 방식으로 회로 특성도 좋아졌다. 제품 최대 동작 속도는 7.2Gbps(초당 데이터 전송량)를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 영화 두 편을 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 내년부터 해당 제품을 본격 양산할 계획이다. 12㎚급 공정이 적용된 D램 제품 종류를 늘리는 한편, 제품 적용 산업 분야도 적극 확대할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 부사장은 "이번 제품은 차별화된 공정 기술력을 통해 만들어졌다"며 "데이터센터, 인공지능, 세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 뒷받침할 것"이라고 밝혔다.
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