삼성전자 반도체 생산 공장에서 한 직원이 방진복을 입은 채 근무 중이다. 삼성전자 제공
정부가 10년간 시스템반도체 분야의 석ㆍ박사급 인재 3,000명 양성에 나선다. 시스템반도체 관련 학과에 설계 특화 교육과정을 신설해 내년까지 총 3,638명의 다양한 핵심인력도 배출한다.
산업통상자원부는 21일 정부서울청사에서 개최한 ‘제3차 혁신성장 빅3 추진회의’에서 이 같은 내용의 ‘시스템반도체 핵심인력 양성방안’을 발표했다.
우선 정부는 내년에 학부 3학년을 대상으로 시스템반도체 설계 특화과정을 지원하는 시스템반도체 설계전공트랙을 신설하기로 했다. 설계전공트랙 이수자는 졸업 후 팹리스(반도체 설계회사) 취업 시 추가 교육 없이 실무 투입이 가능하도록 교육받는다.
아울러 올해부터 연세대 시스템반도체공학과(연세대-삼성전자, 연간 50명), 고려대 반도체공학과(고려대-SK하이닉스, 연간 30명) 등 채용연계 계약학과가 신입생 선발과 함께 본격적으로 운영된다.
민ㆍ관이 일대일 공동투자를 통해 핵심기술 연구개발(R&D), 고급인력 양성, 채용 유도까지 연계하는 ‘1석3조 프로젝트’도 추진한다. 향후 10년간 정부와 기업이 각 1,500억원씩 총 3,000억원을 투입해 3,000명의 석·박사급 인력을 배출할 계획이다.
정부는 올해 신설되는 차세대 시스템반도체 설계전문인력 양성사업에도 59억원을 투입해 미래차, 에너지, 바이오 등 차세대 산업 특화 설계 전문인력을 집중적으로 키우기로 했다.
디지털 뉴딜, 그린 뉴딜 등으로 주목받는 차세대 전력반도체 소자ㆍ제조 전문인력 양성 사업에 올해 24억원을 투입하며, 시스템반도체 융합전문인력 양성센터는 3곳에서 5곳으로, 인공지능(AI) 반도체 대학 정보통신기술(ICT) 연구센터는 2곳에서 3곳으로 각각 늘어난다.
성윤모 산업부 장관은 “4차 산업혁명, 디지털 뉴딜 등 패러다임 전환에 주도적으로 대응하려면 시스템반도체 핵심인력 양성이 중요하다”면서 “다양한 인재를 원활하게 육성할 수 있도록 정책적 지원을 아끼지 않겠다”고 말했다.
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