삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용한 반도체 초미세공정을 D램에 적용했다고 25일 밝혔다. 그간 시스템반도체 생산에 독자적으로 적용해온 EUV 공정을 회사의 주력 제품으로, 보다 고차원적 설계가 필요한 D램까지 확대한 것이다. 삼성전자는 내년부터 EUV 공정을 적용한 D램 칩을 본격 출시할 계획이다.
삼성전자는 이미 EUV 공정으로 1세대 10나노미터(㎚, 1㎚=10억분의 1m)급 DDR4 D램 시제품을 100만개 이상 생산한 뒤 이를 글로벌 고객사에 공급해 평가도 완료한 상태다. 회사 관계자는 “기존 1세대 DDR4 칩을 구매해 쓰던 고객사들이 시제품으로 칩을 대체했을 때 성능에 이상이 없다는 점을 확인한 것”이라며 “D램에 EUV 공정을 적용해 양산할 채비가 됐다”이라고 설명했다.
EUV 공정은 파장이 짧은 극자외선으로 반도체 기판에 회를 새기는 기술로, 회로 폭을 세밀하게 그릴 수 있어 반도체 정보처리 성능을 높이고 반복적 회로 새김 공정을 줄이면서 수율(합격품 비율)을 높일 수 있다. 삼성전자는 시스템반도체 설계 기업의 위탁을 받아 제품을 양산하는 파운드리 사업에 EUV 공정을 적용해왔는데 이번에 메모리반도체로 영역을 넓혔다. 회사 관계자는 “D램은 시스템반도체보다 훨씬 입체적인 구조라 EUV 공정 적용에 시간이 걸렸다”고 전했다.
삼성전자는 내년 출시를 목표로, 현재 EUV 공정으로 4세대 10나노급 DDR5를 양산하는 기술을 개발 중이다. 생산시설은 경기 평택사업장 신규 라인에 조성된다. D램은 세대가 높을수록 칩이 얇아 웨이퍼(반도체 원판) 하나당 생산량이 늘어나고 규격(DDR 뒤 숫자)이 클수록 데이터 전송 속도가 빠르다. 내년에 나올 D램은 이번 시제품에 비해 생산량이 2배 많고 속도는 1.6배 빠르다. 회사는 이후 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서 기술 리더십을 강화해 나갈 방침이다.
이정배 삼성전자메모리사업부 D램개발실 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”고 말했다.
이훈성 기자 hs0213@hankookilbo.com
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