삼성전자가 전원이 없어도 기억을 보존하는 ‘낸드플래시’와 처리속도가 빠른 ‘D램’ 장점을 결합한 차세대 반도체 칩인 ‘내장형 M램(eMRAM·embeded M램)’ 양산을 시작했다고 6일 밝혔다
이 반도체 칩은 완전공핍(밀폐)형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정으로 만들어졌다. FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 얇은 절연 산화막을 만들고 그 위에 평면형 트랜지스터 전극을 구성하는 기술로 일반 반도체에 비해 누설 전류량이 낮고 전력 효율성이 높은 게 강점이다.
이 공정으로 만들어진 M램은 기존 내장형 낸드플래시 보다 쓰기 속도가 약 1,000배 빠르면서도 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는다. 종전 내장형 플래시는 데이터를 기록할 때마다 저장돼 있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거쳐야 하기 때문에 속도가 빠르지 못했다.
삼성전자가 이번에 생산한 내장형 M램은 메모리 반도체, 통신용 반도체 등 여러 반도체를 모듈처럼 한 곳에 모은 시스템 반도체(SoC)에 결합돼 주요 업체에 공급된다. 시스템 반도체는 사물인터넷 등 각종 정보통신기술 제품에 주로 탑재된다.
이번 M램 생산으로 반도체 파운드리(위탁생산) 사업에서 우위를 다졌다는 평가도 나온다. 프랑스 반도체 웨이퍼 제조사 ‘소이텍’은 최근 삼성전자 파운드리 라인에 ‘FD-SOI’용 웨이퍼를 추가로 공급하기도 했다.
이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 내장형 M램을 확대 적용해 고객과 시장 요구에 대응해갈 것” 이라고 말했다.
민재용 기자 insight@hankookilbo.com
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