메모리 반도체 세계 1위 삼성전자가 최초로 2세대 10나노급 D램 양산에 돌입했다. 또 한번 ‘초(超)격차’ 전략으로 1세대 10나노급 D램 진입 단계인 추격자들을 멀찌감치 따돌렸다.
삼성전자는 현재 D램 중 가장 작은 크기의 2세대 10나노급 8기가비트(Gb) 용량의 DDR(Double Data Rate)4 D램 생산을 지난달 시작했다고 20일 밝혔다. 2세대 10나노급은 반도체 회로 선폭이 10나노미터(㎚ㆍ10억 분의 1m) 중반대로, 선폭이 좁을수록 더 작고 성능이 뛰어난 제품을 만들 수 있다. D램은 컴퓨터와 서버, 모바일 기기 등에 필수적으로 들어가는 데이터 임시기억장치다.
지난해 2월 회로 선폭이 10나노미터 후반인 1세대 10나노급 8Gb D램 양산을 시작한 지 21개월 만에 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복했다. 2세대 10나노급 공정을 완성한 삼성전자는 업계 최초로 차세대 서버용(DDR5)과 모바일용(LPDDR5), 슈퍼컴퓨터용(HBM3), 초고속 그래픽용(GDDR6) D램 양산 기반도 확보했다.
2세대 10나노급 D램은 초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 설계로 1세대 대비 속도가 10% 이상 향상됐고, 소비전력은 15% 줄어들었다. 생산성은 약 30% 높아졌다. 차세대 빅데이터 분석과 인공지능(AI) 시장에 최적화된 고성능 D램이다.
삼성전자는 20나노급 4Gb D램은 일부만 남기고 10나노급 D램으로 양산 체제를 전면 전환해 수익을 극대화할 계획이다. 세계 D램 시장 2위인 SK하이닉스는 지난 10월 1세대 10나노급 D램 양산 단계에 들어갔고 3위 마이크론은 아직 1세대 10나노급 D램을 선보이지 못했다.
삼성전자 메모리사업부 진교영 사장은 “발상을 전환한 혁신으로 반도체 미세화 기술의 한계를 돌파했다"며 “프리미엄 D램 시장에서 초격차 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 밝혔다.
김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com
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