세계 경제의 불확실성이 계속되고, IT산업은 새로운 사업자들이 강력한 경쟁자로 등장하는 등 변화의 폭이 크다. 산업의 범위는 나날이 커져 가고, 추구하는 기술 역시 예측 불가능할 만큼 빠른 속도로 진화하고 있다. 이 같이 사업 전반을 둘러싼 환경에서 근원적 변화가 일어나고 있지만, SK하이닉스는 ‘기술 경쟁력 강화’를 통해 시장 선도적 위치를 지켜 나간다는 방침이다.
SK하이닉스 박성욱 부회장은 “4차 산업혁명의 소용돌이 속에서 SK하이닉스 역시 ‘딥 체인지(Deep Change)’를 통해 새로운 가능성을 확보해야 할 전환기에 들어섰다”며 “2017년은 기술 중심 회사로의 입지를 강화하는 동시에 지속적인 성장 기반을 다지는 데 집중할 것이다” 고 말했다.
D램은 현재의 20나노급 제품 대비 원가절감 효과가 큰 10나노급 제품을 올해 3분기 중에 양산할 계획이다. 이를 통해 D램 사업에서의 수익성을 극대화하고 모바일 및 서버 D램 분야에서의 기술리더십을 더욱 강화한다는 방침이다. 작년 연말 20나노 초반급 비중은 40%를 넘었으며, 올해 연말에는 60% 이상으로 확대할 계획이다. 특히 지난 4월 세계 최고 속도의 GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램을 개발하여 고품질, 고성능 그래픽 메모리 시장에 대응하고 있다. 이 제품은 업계 최고인 핀(Pin)당 16Gbps(Gb/sec)의 데이터 처리속도 구현이 가능하며, 기존 GDDR5 대비 최고 속도가 두 배 빠르면서 동작 전압도 10% 이상 개선했다. 향후 인공지능(AI), 가상현실(VR), 자율주행차, 4K 이상의 고화질 디스플레이 지원 등 차세대 성장산업에서 필수적인 메모리 솔루션으로 활용될 전망이다.
낸드플래시는 기존 16나노 낸드플래시 제품보다 공정을 더욱 미세화한 14나노 제품 비중을 계속 확대해 수익성을 강화하고 있다. 지난 4월에는 업계 최초로 72단 256Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 3D낸드플래시 개발에 성공했다. 이 제품은 현재 양산 중인 48단 3D 낸드보다 데이터를 저장하는 셀(Cell) 적층수를 1.5배 높이고, 생산성 또한 30% 향상했다. 또한 칩 내부에 고속회로 설계를 적용해 내부 동작속도를 2배 높여 읽기와 쓰기 성능을 20%가량 끌어올렸다.
SK하이닉스는 이러한 기술 경쟁력의 강화와 지속적인 성장기반 확보를 위해 적극적인 투자를 이어가고 있다. 지난해 6조2,920억원을 투자했으며, 올해에는 사상 최대인 7조원 수준의 투자를 계획하고 있다. 낸드플래시 수요 확대에 대비 2019년 6월까지 2조2,000억원을 투자해 충북 청주에 최첨단 반도체 공장을 건설 예정이며, 이천 M14 2층에 3D 낸드 양산을 위한 클린룸도 마련할 계획이다. 아울러 중국 우시에 위치한 기존 D램 공장의 클린룸 역시 9,500억원을 투입해 2019년 4월까지 확장한다는 계획이다.
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