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중국 반도체 굴기에 삼성ㆍ하이닉스 등 투자 강화
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중국 반도체 굴기에 삼성ㆍ하이닉스 등 투자 강화

입력
2016.08.02 09:57
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게티이미지뱅크
게티이미지뱅크

반도체 굴기(우뚝 일어섬) 차원에서 중국 정부의 지원을 등에 업은 칭화유니그룹과 XMC의 공격적인 투자에 대응해 한국 일본 미국 반도체 기업들도 일제히 투자를 늘리고 있다.

2일 시장조사기관 D램 익스체인지와 반도체 업계에 따르면 글로벌 시장에서 낸드플래시(NAND Flash) 사업 성장률은 2011년부터 2016년까지 연평균(CAGR) 47%의 가파른 성장세를 기록했다.

D램 익스체인지는 이런 성장세에 주목한 칭화유니그룹이 새로운 홀딩컴퍼니인 양쯔강 스토리지 테크놀로지를 통해 XMC 지분을 인수해 낸드플래시 업계의 지각변동을 불러왔다고 평가했다. D램익스체인지 리서치 디렉터인 션 양은 "칭화유니와 XMC의 결합은 중국 반도체 메모리 산업의 발전에서 새로운 장을 열게 했다"면서 "이들 기업의 행동은 글로벌 메모리 시장에서 엄청난 영향력을 갖게 될 것"이라고 내다봤다.

중국 사회에서 막강한 힘을 가진 칭화대 인맥을 등에 업은 칭화유니그룹을 지칭하는 것만이 아니라고 한다. XMC가 기술력에서는 더 강력하다는 게 D램익스체인지의 분석이다. XMC는 미국 소재 반도체 기업 스팬션(Spansion)과 공동으로 3D 낸드플래시 기술을 개발해왔으며, 32단 적층 칩의 양산을 위한 초기 단계에 도달할 정도로 기술력을 끌어올렸다. XMC는 현재 240억달러(약 27조원) 규모의 웨이퍼 공장 투자 계획을 세워놓고 있다.

이에 맞서 삼성전자는 중국 시안의 메모리 공장에 투자를 지속하는 한편 단일 라인으로는 세계 최대 규모로 조성하는 경기 평택 반도체 단지에 3D 낸드 제품 양산을 위한 새 라인을 조성하고 있다. 삼성의 평택 단지 투자금액은 15조6,000억원에 달한다.

SK하이닉스는 새롭게 조성하는 경기 이천의 M14 팹(공장)에서 내년 1분기부터 3D 낸드 제품의 2단계 양산을 개시할 것으로 알려졌다. 현재 M11과 M12 라인에서 낸드플래시를 생산하고 있는데 여기에 더해 3D 낸드 제품 생산력을 강화한다는 것이다.

일본 도시바는 웨스턴 디지털(WD)과 협업해 일본 요카이치에서 뉴 팹2 라인을 통해 3D 낸드 제품을 양산할 계획이라고 D램익스체인지는 전했다. 요카이치는 2010년 강진으로 한때 메모리 제품 생산을 중단했던 공장이다.

또 D램 시장 3위 업체인 미국 마이크론(Micron)은 싱가포르에 있는 팹 10X를 확장해 낸드플래시 제품을 양산할 것으로 알려졌다. 특히 마이크론은 대만 메모리 기술기업인 이노테라(Inotera)와 협업을 통해 낸드플래시 시장 1, 2위인 삼성과 도시바를 추격하려는 움직임을 보이고 있다고 D램익스체인지는 전망했다.

맹하경 기자 hkm07@hankookilbo.com

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