삼성전자는 26일 세계 최초로 ‘128기가바이트(GB) TSV D램 모듈’(사진) 양산에 들어갔다고 26일 밝혔다. 이 제품은 D램 칩을 일반 종이의 절반 두께보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 기술이 적용됐다. 삼성전자는 기존 금선(와이어)을 이용한 64GB D램 모듈에 비해 용량과 속도가 2배 정도 개선됐고, 소비전력량은 50% 줄어드는 등 최대 용량과 초절전 특성을 구현했다고 설명했다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 ‘64GB DDR4 D램 모듈’ 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어, 이번 128GB TSV D램 모듈 양산으로 D램 용량 한계를 돌파했다. 삼성전자는 이를 통해 기업용 서버와 데이터센터 시장을 겨냥한다는 전략이다. 삼성전자 관계자는 “연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM도 양산에 들어가 TSV 제품군을 완성할 것”이라고 밝혔다.
이서희기자 shlee@hankookilbo.com
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