세계 메모리반도체 시장을 장악하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 나란히 대용량에 고효율 성능의 세계 최초 제품을 선보였다.
삼성전자는 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 서버용 D램(왼쪽)을 세계 최초로 양산한다고 21일 밝혔다. 이 제품은 기존 모델에 비해 약 30% 가량 빠른 2,400Mbps까지 데이터 처리속도를 보이면서도 동작 전압 소모는 1.5볼트(V)에서 1.2V로 낮아진 게 특징이다.
삼성전자는 이로써 올해 하반기부터 출시될 예정인 프리미엄 서버 시장 주도권을 확보할 수 있게 됐다. 아울러 컴퓨터(PC)와 모바일 기기에 이어 서버용 분야까지 20나노 공정을 적용한 D램 양산에 성공함으로써 풀 라인업까지 갖췄다. 삼성전자 관계자는 “이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축에 필요한 성능을 모두 만족시켰다”며 “향후 20나노 D램 비중을 지속적으로 확대해 최고 특성의 제품을 공급해 나갈 것”이라고 말했다.
SK하이닉스도 이날 16기가바이트(GB) 용량의 비휘발성 메모리 모듈(NVDIMM)을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. D램에 낸드플래시를 결합한 이 제품은 갑작스런 전원 끊김에도 D램의 데이터를 낸드플래시로 전송해 안전하게 저장 및 복구할 수 있다는 게 특징이다. 또한 1.2V 동작 전압에서 2,133Mbps의 데이터처리가 가능하다. SK하이닉스는 이 제품 개발과 함께 최근 급증세인 빅데이터 처리 솔루션 시장 진출의 발판을 마련했다. SK하이닉스 관계자는 “최근 주요 거래처에 샘플을 제공했으며 내년 상반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 계획”이라고 말했다.
허재경기자 ricky@hk.co.kr
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