삼성전자가 데이터 저장 효율을 개선시킨 3비트 기술과 3차원 수직구조로 설계된 V낸드플래시 메모리반도체(사진)를 세계 최초로 양산한다고 9일 밝혔다.
이 제품은 올 5월부터 양산을 시작한 삼성전자의 기존 2세대 V낸드플래시에 3비트 기술을 적용한 10나노미터(1나노= 10억분의 1ｍ)급 128기가비트(Gb) 제품이다. 이 제품은 종전 평면구조를 적용한 10나노급 낸드플래시 대비 생산성이 2배 이상 향상됐다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며, 수직구조 V낸드플래시에 적용된 건 이번이 처음이다. 삼성전자는 기존 수평으로 배열했던 셀을 수직으로 쌓음으로써 전력 소모는 절반으로 줄이고 데이터 처리속도는 두 배 이상 끌어 올렸다. 삼성전자는 지난해부터 수직구조로 설계된 낸드플래시를 세계에서 유일하게 양산하고 있다.
V낸드는 하드디스크드라이브(HDD)를 대신해 차세대 저장장치로 꼽히는 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 들어가는 핵심 부품이다. SSD는 HDD에 비해 안정성이 높고 정보 처리 속도가 빠르다는 장점으로 최근 대중화 바람을 타고 있다. 시장조사기관인 가트너에 따르면 지난해 110억달러에 머물렀던 세계 SSD 시장 규모는 올해 145억달러에 이어 2017년엔 235억달러까지 확대될 전망이다.
한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 “3비트 V낸드는 HDD에서 SDD로의 시장 전환 추세를 더 가속화 시킬 것”이라며 “향후 3비트 V낸드 기반의 고용량 SDD 제품 출시로 시장 주도권을 확보해 나갈 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 3비트 V낸드플래시 양산으로 SSD 라인업을 기존 프리미엄 서버용 제품에서 보급형 PC용 제품까지 대폭 늘리면서 V낸드플래시 시장점유율도 확대해 나갈 방침이다.
허재경기자 ricky@hk.co.kr
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