삼성전자는 세계 최초로 20나노급(1나노=10억분의 1m) 모바일 D램(사진) 양산에 착수했다고 17일 밝혔다. 20나노급 4기가비트(Gb) 모바일 D램의 특징은 기존 30나노급 제품에 비해 데이터 처리속도는 빠르고 소비전력은 적으며, 두께가 약 20% 얇고 생산성은 50~60% 가량 향상됐다는 점이다. 모바일 D램의 두께가 줄어든 만큼, 스마트폰 등 슬림형 모바일 기기 생산도 가능해질 전망이다.
삼성전자는 20나노급 모바일 D램 양산으로 세계 모바일 D램 시장에서의 주도권도 이어갈 수 있게 됐다. 현재 경쟁사의 주력 제품군의 경우, SK하이닉스는 30나노급이며 엘피다는 40~50나노급에 머물러 있다. SK하이닉스 역시 하반기에 20나노급 모바일 D램 양산이 예정돼 있다. 시장조사기관인 D램 익스체인지에 따르면 올해 1분기 모바일 D램 시장에서 삼성전자가 70.9%로 1위를 차지한 가운데 SK하이닉스 15.0%로 2위를 기록했으며 일본 엘피다(8.8%)와 미국 마이크론테크놀로지(4.0%) 등이 뒤를 따랐다.
홍환훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "작년에 업계 처음으로 30나노급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했고 올해 20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다"며 "프리미엄 시장 지배력이 더욱 공고해질 것"이라고 말했다.
업계 관계자는 "최근 애플이 아이폰에 들어갈 모바일 D램 공급선을 삼성전자에서 엘피다쪽으로 다변화한다는 소문이 있었다"면서 "삼성전자가 업그레이드된 20나노급을 양산할 경우 애플도 쉽게 수입선을 엘피다로 바꾸기 힘들 것"이라고 말했다.
허재경기자 ricky@hk.co.kr
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