삼성전자는 30나노급(1나노는 10억분의 1m) 기반의 32기가바이트(GB) DDR3 D램 기업 서버용 모듈(사진) 양산을 시작했다고 31일 밝혔다. 이 모듈은 데이터 처리 속도가 1,866Mbps로, 기존 40나노급 모듈 대비 40% 빠르고 소비 전력도 18% 절감했다는 게 회사측 설명이다.
삼성전자는 이 제품을 포함해 전체 D램 반도체 라인업에서 4기가비트(Gb) 이상의 대용량 제품 비중을 2012년에는 전체 D램의 10% 이상까지 확대할 방침이다.
홍완훈 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "최근 급성장하는 친환경 정보기술(IT) 시장을 더욱 확대하기 위해 하반기에는 소비전력을 대폭 낮춘 20나노급 4Gb D램을 출시할 예정"이라고 말했다.
삼성전자는 향후 '그린 IT 시스템 구축'을 위해 하반기 미국과 아시아 지역에서 '반도체 최고투자채임자(CIO) 포럼'을 열고 글로벌 업체들과 교류를 확대할 방침이다.
시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 4Gb D램은 2012년 시장 규모가 10%까지 늘어나고, 2014년에는 전체 D램 시장의 57%를 차지할 전망이다.
허재경기자 ricky@hk.co.kr
기사 URL이 복사되었습니다.
세상을 보는 균형, 한국일보Copyright ⓒ Hankookilbo
신문 구독신청
댓글0