"(반도체 회로 선 폭이) 25나노미터인 D램을 양산했다는 엘피다의 발표는 두고 봐야 합니다."
권오현(사진) 삼성전자 반도체 사업부장(사장)은 4일 서울 서초동 삼성전자 서초사옥에서 열린 삼성 수요 사장단 회의에 참석해 이렇게 밝혔다.
권 사장은 이 자리에서 "삼성전자가 엘피다에 뒤진 것 아니냐는 보도를 보고 걱정하는 계열사 사장들이 있을 것 같아 설명한다"며 "결론부터 말해 엘피다가 7월부터 양산한다고 했으니 기다려보자"고 말했다.
그는 "엘피다의 주력은 50나노급이고 삼성전자는 40나노, 35나노가 주력이다"면서 "그런데 2009년 엘피다가 40나노를 개발했다고 발표했지만 아직까지 시장에서 찾아보기 어렵고 지난해에는 30나노를 개발했다고 발표하며 곧바로 출하한다고 했는데 아직도 없다"며 엘피다 발표에 대한 회의적인 시각을 나타냈다. 과거 사례로 볼 때, 실제 제품이 시중에 나오기 전까지 엘피다의 20나노급 D램 개발은 믿을 수 없다는 얘기다.
앞서, 일본 니혼게이자이 신문은 지난 2일 자국 반도체 업체인 엘피다(세계 3위)가 세계 최초로 25나노미터급 D램을 개발했다고 보도했다. 나노미터(1나노미터(㎚)=10억분의 1m) 공정은 반도체 원판인 웨이퍼 위에 그려 넣은 회로의 선 폭을 10억분의 1m로 줄였다는 뜻으로, 반도체 회로 선 폭이 좁아지면 그 만큼 웨이퍼 한 장당 더 많은 반도체를 얻을 수 있다. 전 세계 D램 시장 주도권이 삼성전자와 하이닉스반도체 등으로 넘어온 2000년 이후, 나노공정 개발에서 외국 기업이 국내 업체를 추월한 경우는 없었다.
삼성전자는 현재 20나노급 D램을 개발, 양산 시점을 앞두고 발표할 예정인 것으로 알려졌다. 삼성전자 관계자는 '삼성전자가 20나노급 D램을 개발했느냐'는 질문에 "연구소 개념으로 하면 돼 있다"고 말했다. 그는 또 "삼성전자는 2007년 이후 양산을 거의 눈앞에 둔 시점에서 개발 발표를 해왔고, 세계 최초 개발 발표와 양산 발표는 일치해 왔다"고 설명했다.
한편 이날 최지성 삼성전자 부회장은 "반도체에만 국한된 것이 아니고 제품 리더십과 1등을 유지하려면 경쟁사보다 1년은 앞서가야 한다"며"그래야 지속적인 가격 경쟁력을 갖추면서 시장을 주도할 수 있다"고 강조했다.
허재경 기자
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