하이닉스, 차세대 DDR4 D램 개발

하이닉스반도체는 4일 국제 반도체 표준협의 기구 규격을 적용한 30나노급 2기가비트 차세대 DDR4 D램(사진)을 개발했다고 밝혔다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배가량 높인 차세대 D램 규격이다.

이 제품은 1.2볼트(V) 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현, 기존 DDR3 1333Mbps 제품에 비해 처리 속도가 80%가량 향상됐다. 이는 DVD급 영화 4~5편에 해당하는 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 또 1.5V DDR3 D램보다 전력소모도 50% 가까이 줄었다.

김지범 하이닉스 마케팅본부장은 "신제품은 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다"며 "기존 컴퓨터(PC) 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 말했다.

하이닉스반도체는 오는 2012년 하반기부터 DDR4 D램을 본격적으로 양산할 계획이다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR4 D램 비중이 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품으로 올라설 전망이다.

허재경 기자 ricky@hk.co.kr