저장장치로 널리 쓰이는 플래시 메모리 반도체보다 전달 속도가 1,000배 빠른 차세대 메모리 반도체 소자를 국내에서 개발했다.
이상욱 건국대 물리학부 교수와 박영우 서울대 물리학부 교수 공동연구팀은 2일 "탄소나노튜브와 전기역학시스템을 기초로 기존 플래시메모리반도체를 대체할 수 있는 반도체 기술 개발에 성공했다"고 밝혔다.
플래시 메모리 반도체는 절연체로 둘러싸인 접속단에 전압을 가해 디지털 신호를 전달한다. 이때 전하가 절연체를 뚫고 지나가려면 상당히 센 전압이 필요하다. USB에 자료를 저장할 때 하드디스크보다 오래 걸리는 이유는 이 때문이다. 또 전력 소모도 많아 USB를 꽂아 두면 쉽게 뜨거워진다.
연구팀은 전압 대신 정전기력으로 접속단에 직접 접촉해 디지털 신호를 전달하는 방식을 고안했다. 이 교수는 "실험 결과 높은 전압이 필요 없어 정보를 쓰거나 지우는데 걸리는 시간이 플래시 메모리 반도체보다 1,000배 이상 빠르고 전력 소비도 크게 줄었다"고 말했다.
임소형 기자 precare@hk.co.kr
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