하이닉스, 세계 첫 30나노급 4Gb D램 개발

하이닉스반도체는 세계 최초로 30나노급 기술을 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)을 개발했다고 29일 밝혔다.

이 제품은 대용량 프리미엄 서버 및 고사양 개인용 컴퓨터에서 요구되는 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 특성에 적합한 제품이라는 게 하이닉스의 설명이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있고, 최대 2,133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1,333Mbps 제품 대비 처리속도가 60% 가량 빠르다.

또한 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용, 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모도 줄여준다. 하이닉스는 30나노급 2Gb DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기 양산에 들어갈 예정이다.

허재경 기자 ricky@hk.co.kr