삼성전자가 반도체 업체로는 세계 최초로 20나노(1나노미터는 10억분의 1m) 제조 공정을 적용한 낸드플래시 메모리반도체의 양산에 착수했다.
삼성전자는 19일 20나노급 공정의 32기가비트(Gb) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시(사진)를 지난 주말부터 양산하기 시작했다고 밝혔다. 20나노급 MLC 낸드플래시는 기존 30나노급 MLC보다 생산성이 50% 가량 높다. MLC 낸드플래시는 스마트폰과 MP3플레이어, 디지털캠코더 등 고성능 휴대용 디지털 기기의 내외장 메모리 카드에 주로 사용된다.
삼성전자는"이번에 20나노급 MLC 전용 낸드플래시 구동장치도 함께 개발, 기존의 30나노급 낸드플래시 제품과 같은 수준의 신뢰성도 확보했다"고 설명했다.
삼성전자는 양산에 들어간 20나노급 MLC 낸드플래시 제품을 휴대용 디지털 장치에 쓰이는 메모리카드인 시큐어디지털(SD) 카드 용도에 맞게 4GB, 8GB, 16GB, 32GB, 64GB 용량으로 먼저 출시했다. 20나노급 낸드플래시 구동장치를 탑재한 8기가바이트(GB) 이상 용량의 SD 카드는 메모리 카드 가운데 최고 쓰기 속도인 초당 10메가바이트(MB) 이상을 구현할 수 있다.
허재경 기자 ricky@hk.co.kr
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