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하이닉스, 40나노급 2기가비트 모바일 D램 개발
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하이닉스, 40나노급 2기가비트 모바일 D램 개발

입력
2010.01.15 07:23
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하이닉스반도체(이하 하이닉스)는 13일 세계에서 처음으로 40나노급 기술을 적용한 모바일용 2기가비트(Gb) D램(LP DDR2ㆍ사진) 개발에 성공했다고 밝혔다. 모바일용 D램 가운데 가장 낮은 1.2V의 전압으로도 동작이 가능한 이 모델의 소비전력은 기존 제품(LP DDR)의 50% 수준으로, 휴대폰이나 디지털카메라, MP3플레이어, 네비게이션 등에 적합하다는 게 회사측 설명이다.

최근 각광 받고 있는 스마트폰과 스마트북 등에도 지원이 가능하다. 이 제품을 이용하면 최대 1,066Mbps의 데이터 전송속도로, 한 편당 800메가바이트(MB) 용량에 해당되는 영화 5~6편을 1초 만에 내려 받을 수 있다. 회사 측은 올해 상반기내 이 제품 양산을 시작할 계획이다.

하이닉스 관계자는 “앞으로도 고용량 및 저전력, 고속화 등으로 급변하는 모바일 시장을 선도할 수 있는 제품을 내놓을 방침”이라고 말했다.

허재경 기자 ricky@hk.co.kr

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