삼성전자 0.6㎜ 8단 적층 반도체 개발

삼성전자가 대용량 메모리 반도체를 얇게 만들 수 있는 기술을 개발했다.

삼성전자는 4일 세계 최초로 0.6㎜ 두께의 8단 적층 반도체 기술을 개발했다. 이 기술은 12인치 웨이퍼(반도체 제조용 원판) 뒷면을 갈아내고 반도체 회로를 총 8층으로 쌓아 올리는 기술이다. 회로 층이 쌓이는 만큼 용량이 늘어나지만 두께는 0.6㎜에 불과해 휴대 기기용 반도체 제조에 적합하다. 삼성전자는 실제로 이 기술을 32GB 낸드플래시 반도체 제조에 적용하기로 했다.

과거에는 웨이퍼를 많이 깎아낼수록 칩의 강도를 유지하기 어렵고 회로를 쌓아 올리기 힘들어 안정적으로 작동하는 반도체를 만들 수 없었다. 그러나 삼성전자는 이 같은 한계를 극복해 얇으면서도 대용량인 반도체 시대를 열 수 있게 됐다.

삼성전자는 이번 기술 개발로 현재 세계 시장 점유율이 50%인 휴대기기 메모리용 복합 반도체의 경쟁력을 더욱 강화할 것으로 보고 있다.

정태경 삼성전자 테스트&패키지 센터 상무는 "0.6㎜ 8단 적층 반도체는 현재 대용량 적층 반도체의 두께를 절반 정도로 줄인 제품이어서 경쟁력이 높다"며 "반도체 시장의 한계를 뛰어넘어 다양한 휴대 기기에 적용할 수 있을 것"이라고 말했다.

최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr