삼성전자가 세계 최초로 40나노 DDR3 D램 반도체를 양산한다. 1나노는 10억분의 1m로, 그만큼 반도체에 들어가는 회로를 가늘게 만들 수 있다는 뜻이다.
21일 삼성전자에 따르면 이달 말부터 40나노 미세 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 본격 양산한다. 올해 1월 최초 개발한 지 6개월 만에 양산에 들어가는 셈이다.
이 제품은 회로 선폭이 가늘어 반도체 크기를 기존 제품보다 작게 만들 수 있다. 따라서 동일한 웨이퍼 원판에서 얻을 수 있는 생산량이 50나노 제품보다 60% 가량 많다. 속도도 기존 제품보다 20% 이상 향상돼 1.6Gbps로 자료를 처리할 수 있다. 반면 전력 소모는 적어서 친환경적이다.
이로써 삼성전자는 경쟁업체들에 비해 생산성과 원가 경쟁력에서 한발 앞설 수 있게 됐다. 그만큼 국내 반도체 업계가 D램 메모리 반도체 시장에서 대만, 일본, 미국 등 후발 주자들과의 격차를 벌릴 수 있게 된 것이다.
삼성전자는 이번에 양산하는 40나노 DDR3 D램을 대용량 워크스테이션, 컴퓨터(PC), 노트북 등 다양한 정보기술(IT) 기기에 장착하는 주기억장치용 반도체로 공급할 계획이다. 시장 조사기관 아이서플라이는 전체 D램 메모리 반도체 시장에서 DDR3 D램의 비중이 올해 20%, 2012년 82%로 급격히 확대될 것으로 예상했다. 삼성전자 관계자는 "앞으로 차별화한 고용량, 고성능 D램을 먼저 개발해 업계 최고의 경쟁력 우위를 계속 유지할 것"이라고 말했다.
최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr
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