하이닉스반도체는 44나노(1나노미터는 10억분의 1미터) 공정기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)을 개발, 3분기부터 본격 양산에 들어간다고 8일 밝혔다.
44나노란 반도체를 구성하는 회로 선폭의 굵기를 의미한다. 숫자가 작을수록 미세하게 회로를 만들 수 있다는 뜻. 이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 54나노 공정을 이용해 양산 중인 제품에 비해 약 50% 가량 생산성이 향상된 모델이다.
현재 대만과 유럽, 미국 등 해외 반도체 업체들은 아직까지도 60, 70나노 기술로 D램을 생산하고 있다.
하이닉스는 "새 제품이 3차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다"고 강조했다. 이 제품은 최대 2,133Mbps(초당 2,133Mb)의 데이터 처리 속도를 자랑한다.
올해 3분기에 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품 양산 계획을 세운 하이닉스는 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 생산할 예정이다. 또한 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈을 포함해 모바일 D램과 그래픽D램 등으로 확대 적용할 방침이다.
"하이닉스 관계자는 "40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로 올해 하반기 이후 시장의 주력제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다"며 "이번 개발을 통해 향후 차세대 제품으로 각광 받고 있는 DDR3 시장에서의 주도권도 확보해 나갈 것"이라고 말했다.
허재경 기자 ricky@hk.co.kr
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