삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노(1나노미터(㎚)는 10억분의 1m) 제조 기술을 적용한 1Gb DDR2 D램(사진)을 개발했다고 밝혔다. 이로써 삼성전자는 앞선 기술력으로 세계 반도체 시장을 계속 주도하게 됐다. 현재 대만, 유럽, 미국 등 해외 반도체 업체들은 아직 60, 70나노 기술로 D램을 만들고 있으며, 삼성전자와 하이닉스반도체 등 우리 업체들만 50나노 기술로 D램을 생산하고 있다.
삼성전자의 40나노 제품 개발은 2005년 60나노급 D램과 2006년 50나노급 D램 세계 최초개발에 이은 것이다. 삼성전자는 올 3분기중 본격적인 양산체제에 들어갈 예정이다. 삼성전자 관계자는 “이번 40나노 D램 개발로 해외 업체들과 1, 2년 이상 기술 격차를 벌일 수 있게 됐다”며 “40나노 1Gb DDR2 D램보다 자료 전송 속도와 용량이 증가한 40나노 2Gb DDR3 D램도 올해 안에 개발할 계획”이라고 말했다.
반도체 업계에서 40나노 기술이 갖는 의미는 크다. 40나노란 반도체를 구성하는 회로 선폭의 굵기를 말한다. 숫자가 작을수록 미세하게 회로를 만들 수 있다는 뜻. 그만큼 반도체 크기도 작아져 50나노 기술을 적용했을 때보다 300㎜ 웨이퍼(반도체 제조용 원판) 한 장에서 생산할 수 있는 반도체 수량이 늘어난다. 삼성전자 관계자는 “50나노 대비 60% 이상 생산성이 향상된다”고 설명했다.
최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr
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