하이닉스반도체는 3일 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 반도체를 개발했다고 밝혔다. 3중셀 기술이란 반도체 용량을 3배로 확대하는 기술이다. 낸드플래시는 D램 메모리 반도체와 달리 전원 공급이 중단돼도 저장된 정보를 계속 보존할 수 있어 디지털TV, 디지털카메라, 휴대폰, MP3 플레이어 및 가정용 게임기 등에 널리 쓰인다.
3중셀 기술을 적용하면 1개의 반도체가 반도체 3개를 합친 것과 같은 저장 용량을 갖게 돼 MP3 음악파일 8,000곡, DVD 영화 20편, 일간지 200년치, 단행본 220만권을 저장할 수 있다. 그만큼 각종 디지털 기기에 이 제품을 탑재하면 크기를 더욱 줄이고 가볍게 만들 수 있으며, 반도체 제조업체 입장에서도 제조 원가를 줄일 수 있다.
도시바 등에서 3중셀을 적용한 16Gb 낸드플래시 메모리 반도체를 내놓은 적은 있으나 32Gb 용량 제품은 이번이 처음이다. 하이닉스 관계자는 “3중셀 기술을 적용하면 용량을 3배로 확대할 수 있으나 그만큼 저장 자료 사이에 신호 간섭을 줄이는 게 관건”이라며 “메모리 신호처리(MSP) 기술을 적용해 신호 간섭 현상을 해결했다”고 설명했다.
하이닉스는 10월부터 이 제품을 양산할 예정이다. 또 MSP 기술을 이용해 반도체 용량을 4배로 확대하는 4중셀 제품도 개발할 계획이다.
최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr
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