삼성전자가 미국에 두 번째 반도체 생산시설을 갖추고 미주 시장 확대에 나섰다.
삼성전자는 15일 미국 텍사스주 오스틴 반도체 생산단지(SAS)에서 윤종용 삼성전자 부회장, 황창규 삼성전자 반도체총괄사장, 릭 페리 텍사스 주지사 등이 참석한 가운데 300㎜ 웨이퍼(반도체칩으로 자르기 전의 원판) 생산 시설인 제 2라인 준공식(사진)을 가졌다고 밝혔다.
삼성전자는 기존 1라인(200㎜웨이퍼)은 D램메모리 반도체 생산에 주력하고 신규 2라인은 50나노급 이하 낸드플래시 등 차세대 메모리 반도체를 만들 계획이다. 2라인은 하반기부터 50나노급 16기가바이트 용량의 낸드플래시를 양산하게 된다.
삼성전자는 내년까지 35억달러를 투자, 생산규모를 월 2만장에서 점차 늘려나갈 방침이다.
이에 따라 삼성전자의 반도체 부문은 세계 최대 반도체단지인 국내 기흥-화성단지를 중심으로 중국과 미국을 잇는 글로벌 생산체제를 확고히 하게 됐다.
국내 시설은 최첨단 반도체 생산 및 연구개발 중심지로 활용하고, 오스틴 단지는 미주를 겨냥한 전략생산 거점, 중국 쑤저우 단지는 조립과 패키지 시설로 육성한다는 방침이다.
최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr
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