삼성전자는 미국 IBM과 전략적 제휴를 맺고 2010년까지 300㎜(12인치) 웨이퍼(반도체원판)용 32나노(㎚) 로직기술을 공동 개발키로 합의했다고 23일 밝혔다.
이번 32나노 로직기술 공동 개발은 삼성전자와 IBM 외에도 미국 프리스케일과 독일 인피니언, 싱가포르 차터드 등 5개 사가 참여하는 공동 프로젝트다.
삼성전자는 기존의 65, 45나노 로직기술 공동개발이 완료됨에 따라 이번 32나노 기술 협력을 추진키로 결정했다고 설명했다. 삼성전자는 공동 개발로 확보되는 로직기술을 핵심 시스템LSI(비메모리반도체) 제품을 생산하기 위한 공정기술에 적용할 계획이다.
이번 협력을 통해 삼성전자는 차세대 신성장동력을 확보, 메모리 분야와 시스템LSI 반도체 분야의 균형적인 성장을 지속적으로 추진해 나간다는 방침이다.
삼성전자 시스템LSI사업부 권오현 사장은 "이번 협력을 통해 신물질, 트랜지스터 구조 등의 새로운 기술적 과제를 극복함으로써 차세대 32나노 로직기술을 성공적으로 개발할 수 있을 것으로 기대된다"고 말했다.
허재경 기자 ricky@hk.co.kr
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