삼성전자가 세계 최초로 51나노 공정을 적용한 16기가비트 멀티레벨셀(MCL) 낸드플래시 메모리 반도체 양산에 성공했다. 51나노는 머리카락 두께 2,000분의 1에 해당하는 초미세 공정이다.
삼성전자는 29일 기존 60나노급 공정을 적용한 8기가비트 낸드플래시 메모리 반도체에 비해 용량과 성능을 2배씩 향상시킨 16기가 제품을 양산 한다고 밝혔다. 지난해 8월에 60나노급 공정을 적용한 8기가 제품 양산을 개시한 지 8개월 만이다. 이 제품으로 32기가바이트(GB) 메모리 카드를 만들 경우 약 32시간 분량의 DVD영화 20편과 MP3 음악파일 8,000곡, 일간지 200년치 분량을 각각 저장할 수 있다.
삼성전자는 51나노 기술을 적용한 낸드플래시가 기존 60나노 제품에 비해 생산성이 60% 가량 향상되며, 자료 처리단위도 기존 2KB에서 4KB로 늘어나 읽기와 쓰기 속도 또한 2배 정도 빠르다고 설명했다.
삼성전자는 이번 51나노 공정 적용으로 반도체 부문의 수익성이 개선될 것을 보고 있다. 특히 낸드플래시 시장에서 주력 제품 용량이 1년에 2배씩 성장하는 점을 감안하면 지난해 4기가, 올해 8기가에 이어 내년에는 16기가가 주력 제품이 될 것으로 예상된다.
이에 따라 삼성전자는 올해 업계 최초로 50나노급 16기가 낸드플래시를 양산하게 돼 경쟁사들보다 차세대 낸드플래시 시장을 선점할 것으로 기대하고 있다. 특히 50나노급 낸드 시장은 내년부터 주력으로 자리잡아 2010년까지 총 210억 달러 규모로 성장할 전망이다.
박진용 기자 hub@hk.co.kr
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