“나노 규모로 아주 작게 만들면 자석이 된다.”
보통 자성을 띠지 않는 코발트실리콘(CoSi)을 나노규모로 아주 작게 만들면 자성을 띠게 된다는 사실이 한국과학기술원(KAIST) 화학과 김봉수(48·사진)교수팀에 의해 밝혀졌다. 김 교수팀은 강자성 CoSi 나노선을 합성하는 데 성공, 차세대 메모리로 손꼽히는 자성 반도체의 후보를 보유하게 됐다.
김 교수팀이 만든 나노선은 지름이 20㎚(1㎚=10억분의1m)이고 길이는 수십㎛정도다. 이 나노선을 기판 위에 수식으로 촘촘히 배열하면 현재 쓰고 있는 메모리보다 1,000배 정도 집적도가 높은 테라비트급 메모리 개발이 가능하다고 김 교수는 설명했다.
이번 논문은 미국화학회의 <나노 레터스(nano letters)> 온라인 판에 게재됐다. 연구자들은 궁극적으로 전자 하나를 하나의 소자로 이용할 수 있는 고집적 반도체메모리 개발을 목표로 자성반도체를 연구하고 있다. (042)869-6351~3 나노>
기사 URL이 복사되었습니다.
댓글0