8나노미터 플래시M 세계 최초 개발

KAIST 최양규교수팀 개가…상용화땐 250조시장 기대

국내 연구진이 세계에서 가장 미세한 8나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 플래시 메모리 소자 개발에 성공했다. 실리콘 반도체 소자의 한계로 여겨져 온 10㎚를 넘어 그 이하까지 ‘황의 법칙’(메모리 용량이 매년 2배 성장한다는 법칙)이 성립할 수 있다는 가능성을 보인 것이다.

한국과학기술원(KAIST) 전자전산학과 최양규(41·사진) 교수팀은 13일 정부의 나노연구 관련 시설인 나노종합팹센터의 장비와 기술진의 도움으로 8㎚ 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발했다고 밝혔다. 머리카락 1만2,000분의 1 굵기의 초미세 나노선과 성능이 우수한 ONO(산화막-질화막-산화막) 절연막을 결합해 세계 최초로 이루어낸 성과다. 이 기술이 상용화할 경우 낸드플래시 시장 규모는 250조원이 넘을 것으로 예상된다.

하지만 상용화를 위해서는 절연막을 초박막으로 만들 수 있는 기술과 신소재 연구가 관건이다. 최 교수는 “실리콘 나노선은 8㎚까지 내려갔지만 ONO 절연막의 두께가 20㎚로 너무 두꺼운 것이 한계”라며 “절연막을 더 얇게 만들 수 있는 소재나 기술이 개발돼야 테라비트급 용량이 가능해진다”고 설명했다.

김희원 기자 hee@hk.co.kr