삼성전자가 2011년까지 55조원(누계 기준) 규모로 성장할 50나노(머리카락 굵기의 2000분의1, 1나노는 10억분의1㎙) D램 시대를 개막했다.
삼성전자는 19일 회로와 회로 사이 선 폭이 50나노에 불과한 초미세 공정 기술의 1기가 D램 반도체(사진)를 세계 최초로 개발하는 데에 성공했다고 밝혔다.
그 동안 D램의 경우 복잡한 구조와 회로간 간섭현상으로 인해 50나노 이하로 선 폭을 줄이는 데에 어려움을 겪어왔다. 그러나 삼성전자는 지난해 세계 최초로 60나노 공정기술을 확보한 데 이어, 전인미답의 50나노 고지까지 밟게 된 것이다.
50나노 공정의 생산성은 현재 양산되고 있는 80나노 공정에 비해선 2배, 지난해 개발한 60나노 공정에 비해선 55%나 높아 향후 삼성전자의 D램 최강의 위상을 더욱 높여줄 것으로 기대된다. 특히 초고속 동작과 데이터 저장 능력이 뛰어나고 소비전력도 적어, 대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등에 확대 적용될 것으로 보인다.
삼성전자는 50나노 D램 시장이 2008년부터 본격화, 2011년 550억달러 수준까지 치솟을 것으로 예상하고 있다. 삼성전자는 또 50나노 1기가 D램 개발 과정에서 신규 공정, 제품 개발, 디자인 분야 등 51건의 특허를 국내외에 출원했다고 밝혔다.
삼성전자는 조남용 부사장은 이날 기자간담회에서 “내년 초 출시될 마이크로소프트(MS)사의 새로운 운영체제인 윈도 비스타 효과가 가시화하면서 앞으로 수년간 D램 시장이 확대될 것”이라고 밝혔다. 조 부사장은 이어 “특히 윈도 비스타의 경우 6년만에 출시되는 새 운영체제인데다 권장 메모리가 128MB였던 윈도XP보다 8배나 많은 1GB라는 점에 주목해야 한다”면서 D램 수요증가에 따른 반도체 슈퍼호황(일명 슈퍼사이클)이 10년만에 도래할 것임을 강조했다.
삼성전자는 이러한 윈도 비스타 출시에 대비하기 위한 업체들의 주문이 현재 폭주하고 있으며, 이에 따라 올해 D램 제품 매출이 반도체 단일 제품으론 사상 처음으로 100억달러를 돌파할 것으로 예상된다고 밝혔다.
박일근 기자 ikpark@hk.co.kr
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