삼성전자가 메모리 반도체의 집적도는 매년 2배로 늘어난다는 '메모리 신 성장론'을 올해에도 입증할 전망이다. 지난해 50나노미터(㎜ㆍ머리카락 굵기 2,000분의1) 16기가비트(Gb) 낸드 플래시를 내 놓은 데 이어 최근 32Gb 낸드 플래시 개발의 관건인 40㎜ 이하 초미세 공정을 실현할 수 있는 기술 및 신소자 개발에 성공했기 때문이다.
메모리 신 성장론이란 황창규 반도체총괄 사장이 2002년 메모리 반도체의 집적도가 1년 6개월마다 2배로 늘어난다는 '무어의 법칙'을 극복하기 위해 발표, '황의 법칙'으로도 불린다.
삼성전자는 13~17일 미국 하와이에서 열린 '2006 VLSI 심포지엄'에서 40㎜ 이하 초미세 공정의 반도체 제품에 요구되는 '4비트 이중 소노스(SONOS) 기술'과 신소자인 '타노스'(TANOSㆍ사진)를 개발했다고 밝혔다.
4비트 이중 소노스 기술은 초미세 공정시 나타나는 셀 및 회로 사이의 간섭 현상을 방지하면서도 기억 소자를 2단으로 쌓아, 저장 용량을 크게 높인다.
삼성전자는 1999년 256메가비트(Mb) 낸드 플래시를 개발한 데 이어 2001년 1Gb, 2003년 4Gb, 2005년 16Gb 낸드 플래시를 내 놓아 '황의 법칙'을 지켜왔다. 삼성전자 관계자는 "소노스 기술은 32Gb 낸드 플래시뿐 아니라 64Gb 낸드 플래시 등 초미세화, 대용량화, 고성능화 반도체 개발에 널리 적용될 수 있을 정도로 혁신적인 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 '2006 VLSI 심포지엄'에서 모두 19편의 논문이 채택, IBM(18편)을 제치고 최다 논문 채택의 쾌거도 이뤘다. 이에 따라 삼성전자는 2003년(21건)부터 4년 연속 최다 논문 선정 기업에 꼽혔다.
박일근기자 ikpark@hk.co.kr
기사 URL이 복사되었습니다.
댓글0