삼성전자는 13일 세계에서 처음으로 70나노(1나노=10억분의1㎙) 공정기술을 적용한 512메가비트(Mb) D램 개발에 성공했다고 밝혔다.
이로써 삼성전자는 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 이번에 70나노급의 4세대 D램 공정기술을 세계 최초로 개발하게 됐다. 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 굵기의 약 1,400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조기술이다.
삼성전자측은 “지난해 중반부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품 양산을 시작해 경쟁업체들에 비해 1년 이상 앞서 있으며, 이번 기술개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 확보하게 됐다”고 설명했다.
이번에 선보인 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존 90나노 512메가 DDR2 제품에 비해 생산성이 2배 높으며 1.8볼트 저전압에서 작동해 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로 회사측은 기대했다.
삼성전자는 현재 양산중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 양산에 돌입할 예정이다. 또 향후 1기가, 2기가 D램까지 70나노 공정을 확대 적용, 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.
시장조사기관 아이서플라이는 D램시장 규모가 향후 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, MS의 차기 PC운영체제 ‘윈도 비스타’ 출시 등에 따라 올해 265억달러에서 2009년 374억달러까지 성장할 것으로 전망했다.
김동국 기자 dkkim@hk.co.kr
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