삼성전자가 조성하려는 ‘초대형 반도체 생산단지’의 뒤에는 세계적인 반도체 연구ㆍ개발(R&D) 센터 육성계획이 있다.
삼성전자는 화성 2단지 29만평 내에 8,600억원을 투입해 연구ㆍ개발라인(NRD)을 신설, 내년 5월부터 본격 가동할 계획이다.
NRD가 완공되면 삼성전자는 기존 P램, F램 등의 새로운 메모리와 D램, 플래시 등의 차세대 메모리 및 시스템LSI 제품군을 개발해 온 5개 연구ㆍ개발라인과 더불어 총 6개의 연구ㆍ개발라인을 확보해 반도체 연구개발역량이 크게 높아진다.
화성 NRD 신설은 차세대 나노기술 등 미래 반도체 기술의 지속적 경쟁우위를 확보하기 위한 것으로, 차세대 12인치 나노기술 및 신공정, 신물질 등 미래 반도체가 주 연구 대상이다. 삼성전자는 5,000여명의 연구인력을 신규로 충원해 반도체 연구개발의 중추로 만든다는 전략을 세워놓고 있다.
화성 NRD는 4ㆍ8Gb 용량의 대용량 D램, 32ㆍ64Gb 이상의 낸드 플래시 등 차차세대 제품을 개발, 첨단 나노기술 시대를 이끌어 가게 된다. 삼성전자는 화성 NRD 신설로 올해 개발에 성공한 50나노 기술의 차기 공정 기술인 40나노급 기술개발과 차차세대 기술인 30나노급 기술개발까지 할 수 있게 됐다고 보고 있다.
삼성전자 관계자는 “화성 2단지 내에 건설되는 NRD는 생산시설과 같은 부지 내에 건설돼 첨단 기술개발의 결과가 제품양산으로 빠르게 이전될 것으로 기대한다”며 “화성-기흥 반도체 생산단지가 세계 반도체의 중심으로 도약하면서 화성 NRD도 세계 반도체 연구의 핵심중추로 성장할 것”이라고 전망했다.
김동국기자
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