삼성전자가 비메모리 반도체 분야의 경쟁력 확보를 위해 2005년까지 1조2,691억원을 비메모리 반도체에 집중 투자키로 했다.삼성전자는 20일 공시를 통해 "총 1조2,691억원을 투자해 기흥 사업장에 비메모리 반도체 전용라인을 새로 건설, 내년 하반기부터 본격 가동에 들어가 2006년초부터 300㎜ 웨이퍼로 매달 7,000매를 생산할 것"이라고 밝혔다.
비메모리 전용라인에서는 HDTV용 시스템온칩(SoC)과 CMOS 이미지센서(CIS), 주문형반도체(ASIC) 등 고부가 제품이 생산될 예정이다. 이 공장에서는 0.13미크론과 90나노 공정기술이 우선 적용된 뒤 향후 65나노와 45나노 기술도 사용될 예정이다.
/박천호기자 toto@hk.co.kr
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