'차세대 반도체 P램을 아십니까.'삼성전자는 7일 플래시메모리 등 비휘발성 메모리반도체보다 데이터 처리속도가 1,000배 이상 빠른 차세대 메모리반도체 P램(사진) 개발에 성공했다고 밝혔다.
P램(Phase change RAM)이란 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 메모리반도체. 실리콘을 소재로 한 기존 메모리 반도체들과 달리 P램은 비휘발성 물질인 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'를 소재로 한 새로운 형태의 화합물 반도체다.
삼성전자 관계자는 "휴대폰에 사용되고 있는 노아(NOR)형 플래시메모리보다 속도나 저장용량이 훨씬 향상됐기 때문에 휴대폰에 사용할 경우 실감나는 동영상을 제공할 수 있다"고 말했다.
/박천호기자
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