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탄소나노튜브 이용 '비휘발성 메모리' 실용화 길열었다
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탄소나노튜브 이용 '비휘발성 메모리' 실용화 길열었다

입력
2003.01.15 00:00
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삼성종합기술원 최원봉(崔原鳳·사진) 박사팀이 탄소나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 작동을 확인했다고 14일 발표했다. 이번 성과는 '꿈의 신소재'인 탄소나노튜브로 비휘발성 메모리(전원을 꺼도 정보가 지워지지 않는 메모리)를 실용화할 수 있는 방법을 처음 제시한 것으로 테라(1조)비트급 차세대 메모리 개발의 초석을 놓은 셈이다.최 박사팀은 "탄소나노튜브 위에 산소-질소-산소(ONO) 박막을 쌓으면 비휘발성 메모리 기능이 나타난다는 것을 알아냈다"며 "ONO 박막을 실제 메모리 개발에 적용할 수 있어 실용화의 전기가 마련된 것"이라고 설명했다. 연구결과는 세계적 저널인 '어플라이드 피직스 레터' 최신호에 게재됐다.

실리콘을 이용한 기존의 메모리는 기술적으로 2010년이면 집적의 한계에 다다르게 돼 세계 각국이 탄소나노튜브를 이용한 차세대 메모리 개발에 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 이번 연구를 주도한 과기부 테라급나노소자개발사업단의 이조원(李兆遠) 사업단장은 "테라급 메모리가 실용화하면 영어를 실시간으로 번역할 수 있는 자동번역기가 나오는 등 실생활이 크게 바뀔 것"이라고 덧붙였다.

/김희원기자 hee@hk.co.kr

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