삼성, 0.11㎛급 S램 첫 개발

삼성전자는 31일 업계처음으로 0.11㎛급 초미세 공정기술을 적용한 32메가 저전력 S램 개발에 성공했다고 밝혔다.삼성전자는 인터넷 접속과 동영상 전송이 필요한 IMT-2000용 핸드폰에 적합한 이 제품개발로 경쟁사보다 기술수준에서 6개월 이상 앞서게 됐다고 밝혔다.

또 초미세 공정기술을통해 소형화 추세인 첨단 이동통신제품에 적합하도록 칩사이즈를 33% 축소하고 생산성도 50% 이상 향상시킬 수 있게 됐다고 설명했다.

삼성전자는 이번 S램개발로 1세대 아날로그 휴대폰과 2세대, 2.5세대 디지털 휴대폰에 이어 3세대 IMT-2000용 S램 시장까지도 선점할 수 있게 돼 1995년부터 지켜온 S램 반도체 1위의 위상을 8년째 유지할 것으로 기대된다고 밝혔다.

이성철기자

sclee@hk.co.kr