전기적 피로현상을 완전히 극복해 정보를 손실없이 기록ㆍ재생할 수 있는 F램(강유전램ㆍFerroelectric RAM) 소자가 국내 연구진에 의해 개발됐다.포항공대 신소재공학과 장현명(張鉉明ㆍ49) 교수팀은 약 650억 번 쓰고 읽기동작을 지속해도 정보가 손실되지 않는 F램 메모리 소자를 개발, 응용물리학 학술지인 ‘어플라이드 피직스레터스’ 13일자에 논문을 게재했다고 밝혔다.
F램은 정보가 금방 지워지는 D램에 비해 정보 기록ㆍ재생이 탁월해 앞으로 10년간 D램 시장을 빠르게 대체할 것으로 기대되는 차세대 반도체다. 그러나 수백 만 번 이상 정보를 쓰고 읽는 것을 반복할 경우 저장된 정보가 급속히 손실되는 전기적 피로현상을 극복하지 못해 개발에 어려움을 겪어왔다.
연구진은 메모리 소자에 40나노미터(1나노미터=10억분의 1㎙) 크기의 씨앗 층을 만들어 전기적 피로현상을 없애고 전류 보유능력도 크게 향상시키는 데 성공했다.
장 교수는 “세계 반도체 업체들이 치열한 경쟁을 벌여왔던 F램 시장에서 한국이 앞서갈 토대를 만든 것”이라고 말했다.
이진희기자
river@hk.co.kr
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