삼성전자는 회로선 폭이 머리카락 굵기(100미크론)의 666분의 1에 불과한0.15미크론의 초미세 공정을 적용한 256메가 램버스 D램의 양산에 들어간다고 7일 발표했다.이번에 적용된 0.15미크론 공정기술은 기존의 0.19미크론 및0.17미크론에 이은 3세대로 삼성전자는 현재 주력제품인 128메가 램버스 D램을 연말부터 256메가 램버스 D램으로 본격 세대교체할 계획이다.
삼성전자는 0.15미크론 공정의 적용으로 웨이퍼당 칩 생산량이 0.17미크론공정보다 30% 이상 늘어났으며 내부 신호처리 속도도 기존 800㎒에서 1㎓이상으로 빨라졌다고 밝혔다.
삼성전자는 이와 함께 가격이 급락한 64메가 및 128메가 SD램의 생산량을 줄이는 대신 연말까지 부가가치가 높은 램버스D램의 생산비중을 30%로, 256메가D램을 40%로 각각 늘리는 등 메모리 반도체의 제품 비중을 조정할방침이다.
램버스 D램은 고성능 PC, 워크스테이션, 게임기에 주로 채용되고 있으며 800㎒이상의 고성능을 바탕으로 디지털 TV, 셋톱박스 등 차세대 디지털 미디어기기의 메모리 제품으로 수요가 확대될 것으로 예상되고 있다.
변형섭기자
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