삼성전자가 세계 최초로 최첨단의 '4기가(1기가는 10억) 비트 D램 반도체 기술'을 개발, 시제품을 생산하는데 성공했다고 8일 밝혔다.삼성전자는 이날(미국 서부시간 7일) 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회(ISSCC)에서 0.1미크론(㎛ㆍ1백만분의1미터)의 초미세 공정기술을 적용한 차세대 4기가 메모리 반도체 기술개발 논문을 발표, 세계최초로 4기가 D램 시대를 열었다고 발표했다.
이번에 발표된 내용은 고집적도 대용량 메모리의 특성을 소화해 낼 수 있는 미세증폭회로 및 안정화회로 관련 기술, 저(低) 전력화와 고속동작을 가능하도록 하는 복합설계 기술 등이다. D(Dynamic)램 반도체는 컴퓨터, 서버, 게임기의 주기억장치로 널리 쓰이는 메모리 반도체이다.
4기가 D램의 용량은 42억9,000만 비트로 반도체 칩 하나에 영문글자 기준으로 5억자, 신문 3만2,000페이지, 단행본 640권, 정지화상 1,600장, 64시간 분량의 음성데이터를 저장할 수 있다. 주된 용도는 초고성능 서버용이며 본격적인 시장은 2004년쯤 형성될 것으로 전망된다.
4기가 D램 공정기술인 0.10㎛ 기술은 사람 머리카락(굵기 약 100㎛)의 1000분의 1에 해당하는 초미세 가공기술로 고해상도 사진현상 기술, 저(低) 저항 배선기술 등 최첨단 기술을 확보해야만 가능한 기술이라고 삼성전자는 설명했다.
한편 삼성전자가 4기가 제품 기술을 개발함으로써 우리나라는 1992년 64메가 D램 이후 4기가 D램에 이르기까지 10년에 걸쳐 D램 분야 최고기술 보유국으로의 입지를 굳히게 됐다.
윤순환기자
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