삼성전자, 0.11㎛ 상용화 기술 개발

삼성전자가 세계 최초로 회로선폭 0.11미크론(㎛·1㎛는 100만분의 1㎙) 상용화 기술을 개발했다.삼성전자는 지난달 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI 심포지엄에서 ‘회로선폭 0.11㎛의 1기가D램 상용화 기술’을 발표했다고 18일 밝혔다.

회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새겨지는 회로의 선폭을 말하며 회로선폭이 미세할수록 고집적의 반도체 생산이 가능해져 전세계 반도체 업체들이 회로선폭 미세화 경쟁을 벌이고 있다.

지금까지 가장 미세한 회로선폭 기술은 0.12㎛ 기술로, 삼성전자가 지난 4월 회로선폭 0.12㎛의 512메가D램 상용제품을 세계 최초로 발표한 바 있다.

윤순환기자

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