삼성전자는 차세대 고속메모리 반도체중 하나인 288M 다이렉트 램버스 D램(사진) 개발에 성공, 기존의 싱크로너스 D램을 대체할 고속 반도체 양산에 나서게 됐다고 3일 밝혔다.288M 램버스 D램은 머리카락 두께(100㎛)의 약 600분의 1에 해당하는 회로선 폭 0.17㎛의 초미세 공정 기술을 적용, 램버스 D램의 최고 집적도를 실현한 것으로 1초에 200자 원고지 25만장 분량의 데이터를 전송할 수 있는 초고속 반도체다. 이번 램버스 D램은 고성능 PC와 워크스테이션, 서버 등에 주로 사용된다.
삼성은 16개의 단품을 하나의 모듈로 구성한 576M바이트 램버스 D램 모듈까지 개발, 현재 사용되는 PC나 워크스테이션에 적용되는 반도체의 대용량화를 앞당기게 됐다고 말했다. 램버스 D램은 올해 D램 시장 전체의 약 15%인 30억 달러 규모의 시장을 형성하고 2001년 135억 달러, 2002년에는 D램 시장의 50%까지 점유할 것으로 예상되고 있다.
김상철기자
kimsc@hk.co.kr
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