[삼성전자]' 4메가 F램' 반도체 개발

삼성전자는 D램과 S램, 플래시메모리등 각종 메모리반도체의 장점만을 결합한 새로운 개념의 메모리반도체 4메가 F램(강유전체 램)을 업계 처음으로 개발했다고 21일 밝혔다.F램은 설계가 용이하고 대용량의 정보저장이 가능한 D램과 고속동작이 특징인 S램, 전원이 꺼져도 기억정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 모아 한개의 칩에 집적시킨 것. F램은 미국의 램트론, 일본의 롬등 일부 업체만이 메가급보다 한단계 뒤진 256K급 F램을 시장에 출시한 상태다.

삼성전자는 F램 반도체의 큰 걸림돌이었던 대용량화 기술을 확보, 기존 제품의 절반 크기인 최소형 메가급 제품을 최초로 출시해 미국·일본업체들에 비해 기술면에서 2년 이상 앞서게 됐다고 밝혔다.

F램은 성능이 뛰어나지만 기억용량 확대의 기술적 문제때문에 게임기등 일부 제품에만 적용됐으나 앞으로는 메가급 제품이 휴대폰과 개인휴대 단말기, 스마트폰등에 폭넓게 응용될 것으로 예상된다.

삼성전자는 올해 말 4메가 F램의 엔지니어링 샘플을 확보하면 2005년께 연간 150억달러 규모로 예상되는 F램시장을 선도할 것이라고 전망했다.

이평수기자

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