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현대전자는 차세대 메모리 16기가(1기가는 10억)비트 D램을 제작할 수 있는 초미세 회로 형성기술을 개발했다고 17일 발표했다. 현대전자는 그동안 미국의 인터내셔날 세마텍과 일본의 셀리트 등이 차세대반도체 공정개발을 연구하고 있지만 제품개발에 직접 적용할 수 있는 0.09미크론 회로기술을 개발한 것은 세계처음이라고 주장했다.이번에 개발된 기술은 회로선폭이 머리카락 두께의 1,000분의 1 수준인 0.09미크론(1나노미터는 10억분의 1m)급 초미세 회로 형성기술이다.
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