삼성전자,F램 메모리반도체 개발

◎국내 최초… 큰 용량·빠른 속도·데이터 보호 장점설계가 쉽고 용량이 큰 D램과 속도가 빠른 S램, 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래시메모리 등 각종 메모리반도체의 장점만을 모은 신메모리 F램 반도체가 국내 최초로 개발됐다.

삼성전자는 24일 삼성종합기술원과 공동으로 64KF램을 개발했다고 발표했다.

이 반도체는 일시적으로 전기를 가해 발생한 분극상태가 전기가 끊어져도 유지되는 물질을 정보기억소자에 사용함으로써 D램 S램 플래시메모리의 장점을 두루 갖춘게 특징이다.

F램은 미 램트론사가 상품화에 성공, 현재 64K제품을 시판하고 있으며 최근에는 NEC 히타치 등 일본업계도 개발을 추진하고 있다.

삼성의 F램은 램트론사 제품보다 집적도가 높고 칩내부의 배선을 알루미늄 2중라인으로 채택해 단일배선인 기존제품보다 데이터처리속도가 빠르다.

F램은 현재 도로요금징수시스템 게임기 가전기기 전자수첩 등에 소량 쓰이고 있으며 향후 휴대형 정보기기나 멀티미디어기기 등에 응용되면서 수요가 급증, 2000년에는 세계시장규모가 100억∼300억달러에 이를 전망이다.<남대희 기자>