2백56MD램 양산 핵심기술 세계 첫 개발

◎KIST　고석근·정형진박사팀/「구리　단결정선」제작　한국과학기술연구원(KIST)　세라믹스연구부　고석근·정형진박사팀은　5일　256메가D램급　이상　초고집적　반도체를　대량　생산할　수　있는「구리　단결정(단결정)　회로선제작기술」을　세계최초로　개발했다고　발표했다.

　이　기술은　진공상태에서　구리이온을　굵기　10만분의　1∼1천분의1㎜로　질서정연하게　단결정상태로　회로기판에　배열하는　것으로　고집적에　따른　전기저항을　최소한으로　줄이기　위해　구리이온을　금속전도체로　사용한　것이　특징이다.

　이　기술을　사용하면　반도체제작이　초고진공상태가　아닌　고진공상태에서도　가능해　제작원가를　약20%까지　낮출수　있어　최근　삼성전자등이　개발한　256메가D램등　초고집적　반도체를　양산하는데　필요한　핵심기술로　평가되고　있다.　

　지금까지　16메가D램이하　반도체　제작에　사용되던　화학증기증착법은　금속전도체로　알루미늄을　이용,　초고집적에　따른　전기저항의　증가로　반도체의　성질이　변화하거나　불량률이　높아　초고집적반도체생산에　한계가　있었다.【홍덕기기자】