◎초고속·저전력… 면적도 기존의 50%/전자통신연 이진효박사팀 개가차세대디램(DRAM)인 256메가(M) 디램에 쓰일 핵심단위소자의 구조가 세계최초로 한국전자통신연구소 이진효 박사팀에 의해 발명됐다. 30일 한국전자통신연구소는 이박사팀이 발명한 핵심단위소자의 구조는 모스트랜지스터를 이용한 기존의 평면구조와 달리 바이폴라트랜지스터를 이용한 수직구조의 소자로 고집적,저전력,초고속의 차세대디램을 실현할 획기적인 발명이라고 발표했다.
세계적으로 현재 사용되고있는 64M디램의 단위소자는 단위소자당 편면적이 커서 256M디램의 실현이 어려운 것으로 평가되어 왔다.
그러나 이박사팀 발명한 수직구조소자는 기존의 소자에 비해 단위소자가 차지하는 면적을 50% 이상 축소할 수 있어 256M디램 개발이 가능하며 바이폴라트랜지스터를 사용함으로써 동작속도가 3배 이상 빨라지고 소비전력도 10분의 1로 감소된다는 것이 컴퓨터 모의실험결과 확인되었다고 밝혔다. 이박사팀은 이번 발명내용인 단위소자의 구조,잡음 제거기술,제조기술 등 세가지에 대해 국내와 미국,·일본에 특허를 출원했다.
『이 새로운 단위소자가 실용화되면 98년쯤 가능할 것으로 기대했던 256M디램을 95년에 실현할 수 있으며 기가비트 디램개발에의 도전이 앞당겨질 수 있다』고 이박사는 설명했다.
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